檢測流程

1、寄樣

2、初檢樣品

3、報價

4、雙方確定，簽訂保密協(xié)議，開始實驗。

5、結束實驗

6、郵寄檢測報告

檢測標準

半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.1

半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.2

半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.3

半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.7

半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.7

半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.8

半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.10

半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.12

半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.15

半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法 GB/T 4377-20184.17

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1101-1103

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027B-20211101

微電子器件試驗方法和程序 GJB548C-20212015.2

微電子器件試驗方法和程序 GJB548C-20212003.2

微電子器件試驗方法和程序 GJB548C-20212011.2

微電子器件試驗方法和程序 GJB 548C-20211015.1

微電子器件試驗方法和程序 GJB548C-20211005.1

微電子器件試驗方法和程序 GJB548C-20212004.3

微電子器件試驗方法和程序 GJB 548C-20211010.1

檢測項目

電壓調(diào)整率SV，電流調(diào)整率SI，電源紋波抑制比Srip，耗散電流ID，耗散電流變化AID，短路電流IOS，基準電壓VREF，最小輸入輸出電，壓差VDROP，輸出電流限制llimit，輸出電壓VO，鍵合強度，剪切強度，耐溶劑性，可焊性，鍵合強度(破壞性鍵合拉力試驗)，老煉試驗，穩(wěn)態(tài)壽命，引線車固性，溫度循環(huán)，耐濕，密封，機械沖擊，掃頻振動，恒定加速度，鹽霧(鹽汽)，靜電放電敏感度的分級，粒子碰撞噪聲檢測試驗，高溫貯存

檢測周期：7-15個工作日，試驗可加急