檢測(cè)流程

1、寄樣

2、初檢樣品

3、報(bào)價(jià)，制定實(shí)驗(yàn)方案

4、簽訂保密協(xié)議，付款

5、開始實(shí)驗(yàn)

6、結(jié)束實(shí)驗(yàn)，郵寄檢測(cè)報(bào)告

7、后期服務(wù)

以上是關(guān)于載流子濃度檢測(cè)的相關(guān)介紹，如有其他檢測(cè)需求可以咨詢實(shí)驗(yàn)室工程師。

第三方檢測(cè)報(bào)告用途

1、投標(biāo)/競(jìng)標(biāo)

2、研發(fā)科研項(xiàng)目

3、工業(yè)問題診斷

4、未知物分析檢測(cè)

5、銷售使用

6、大學(xué)高校論文實(shí)驗(yàn)

我們的檢測(cè)優(yōu)勢(shì)

1、高新技術(shù)企業(yè)，集體所有制檢測(cè)機(jī)構(gòu)，公正的檢測(cè)機(jī)構(gòu)。

2、初檢樣品小樣

3、多家實(shí)驗(yàn)室分支，總部位于北京海淀區(qū)，其他分支位于濟(jì)南，上海，廣東，四川，天津等。

4、檢測(cè)報(bào)告正規(guī)性高，適用范圍比較廣，支持掃碼查詢真?zhèn)巍?/p>

5、36種語(yǔ)言編寫MSDS報(bào)告服務(wù)

6、檢測(cè)周期短，檢測(cè)費(fèi)用低，實(shí)驗(yàn)方案齊全。

7、后期技術(shù)服務(wù)完善，真正的一站式檢測(cè)服務(wù)。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

DIN 50440-1998半導(dǎo)體材料檢驗(yàn).用光導(dǎo)衰減法測(cè)定硅單晶復(fù)合載流子壽命;在桿上試件上測(cè)量

GB/T 1553-2009硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

GB/T 4326-2006非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

GB/T 8757-2006砷化鎵中載流子濃度等離子共振測(cè)量方法

GB/T 11068-2006砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法

GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測(cè)試方法

GB/T 14146-2009硅外延層載流子濃度測(cè)定 汞探針電容-電壓法

GB/T 26068-2010硅片載流子復(fù)合壽命的無(wú)接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法

GB/T 26068-2018硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測(cè)試 非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法

GB/T 36705-2018氮化鎵襯底片載流子濃度的測(cè)試 拉曼光譜法

如果您有其他的檢測(cè)需求，可以咨詢實(shí)驗(yàn)室工程師提交檢測(cè)需求，工程師為您提供一對(duì)一服務(wù)。